Molflow3D
有機化学ツールキット

使い方ガイド

100%
C2H6
30.07
CC
※セルを選んでから押すと末尾文字を変換(脚注 a,b,c も可)

収率列の最高値は自動で強調されます(図出力では太字)。Entry列は自動採番。⧉で行を複製して条件を1つだけ変える、が最速の入力方法です。

NMRデータ整形(ACS形式)

δ (ppm)多重度J (Hz)H数

HRMS計算・整形

精密質量(最多同位体)から付加体のm/zを自動計算。ドロータブの分子式バーにもexact massを表示しています。

Bocアミン
導入Boc₂O, Et₃N(または NaHCO₃ aq)
脱保護TFA / 4M HCl–ジオキサン

酸で外れる。塩基・求核剤・接触水素化に安定

Fmocアミン
導入Fmoc-Cl または Fmoc-OSu, 塩基
脱保護20% ピペリジン/DMF

塩基で外れる。酸に安定。SPPSの定番

Cbz (Z)アミン
導入Cbz-Cl, 塩基
脱保護H₂, Pd/C

水素化分解。酸・塩基に比較的安定

Acアミン
導入Ac₂O または AcCl, 塩基
脱保護強酸/強塩基で加水分解

外しにくいので一時保護には不向きなことも

Tsアミン
導入TsCl, ピリジン
脱保護Na/ナフタレン, Mg/MeOH 等

非常に頑丈。脱保護条件が過酷

TMSアルコール
導入TMSCl, イミダゾール
脱保護K₂CO₃/MeOH, 希酸, F⁻

最も外れやすいシリル。仮保護向き

TBS (TBDMS)アルコール
導入TBSCl, イミダゾール/DMF
脱保護TBAF/THF, HF·py

汎用シリル。酸性条件にはやや弱い

TIPSアルコール
導入TIPSCl, イミダゾール
脱保護TBAF

TBSより酸に強い。1級OH選択的

TBDPSアルコール
導入TBDPSCl, イミダゾール
脱保護TBAF(遅め)

酸に最も強いシリル級。かさ高い

Bnアルコール
導入BnBr, NaH/DMF
脱保護H₂, Pd/C

酸塩基に強い。水素化で除去

PMBアルコール
導入PMB-Cl, NaH(または PMB-トリクロロアセトイミダート)
脱保護DDQ / CAN

Bnと直交。酸化的に外せる

MOMアルコール
導入MOMCl, DIPEA
脱保護HCl/MeOH, TMSBr

酸で除去。塩基に安定

THPアルコール
導入DHP, PPTS(cat.)
脱保護PPTS/MeOH

安価。ジアステレオマー混合物になる点に注意

Acアルコール
導入Ac₂O, ピリジン/DMAP
脱保護K₂CO₃/MeOH

穏和に着脱可能。塩基性条件に弱い

Tr (トリチル)アルコール
導入TrCl, ピリジン
脱保護希酸(AcOH aq 等)

1級OH選択的。かさ高い

1,3-ジオキソランカルボニル
導入エチレングリコール, TsOH, Dean–Stark
脱保護希酸水溶液 / アセトン, PPTS

アセタール保護の定番。塩基・求核剤に安定

1,3-ジチアンカルボニル
導入1,3-プロパンジチオール, BF₃·OEt₂
脱保護Hg(II)塩, MeI, 酸化剤

アンポール化(umpolung)にも利用可

Meエステルカルボン酸
導入MeOH/H₂SO₄ または TMSCHN₂
脱保護LiOH または NaOH aq

最小・安価。塩基加水分解で除去

tBuエステルカルボン酸
導入イソブチレン/H₂SO₄, Boc₂O/DMAP
脱保護TFA

酸で外れる。塩基加水分解に強い

Bnエステルカルボン酸
導入BnBr, K₂CO₃
脱保護H₂, Pd/C

中性条件(水素化)で除去できる

※ 代表的な条件のみ。基質依存性があるため一次文献(Greene's PG 等)で要確認。

Nudged Elastic Band (NEB) 法で反応経路・遷移状態を探索します(IDPP 初期経路 + Climbing Image + FIRE、解析勾配、Web Worker 実行)。 ✏️「ここで描く」から直接描画するか、描画タブで保存したスケッチ・DFT 出力を読み込んでください。

構造設定

原料 (R)
未設定
生成物 (P)
未設定

計算パラメータ

中間イメージ数
8
ばね定数 k
2
最大ステップ数
400
収束判定 fTol (kcal/mol/Å)
0.5
初期経路:最適化:
エネルギー計算: ※ 力場を組める構造(描画由来)が無いため、デモポテンシャルで実行されます

🧮 DFT 結果から反応エネルギー図

Gaussian / ORCA / xtb の出力(R・TS・P)を読み込むと、ΔE‡・ΔG‡・ΔE・ΔG (kcal/mol) と虚振動の有無を表示します。

原料 (R)
遷移状態 (TS)
生成物 (P)

メタラフォトレドックス（Metallaphotoredox）は、光触媒サイクルと遷移金属触媒サイクルを組み合わせた二重触媒系です。

基本原理:

  • 光触媒が生成した高エネルギーラジカルを遷移金属（Ni, Pd, Cu）が捕捉
  • 金属のレドックス状態（M⁰/MⁱI/MⅡ/MⅢ）を光触媒が制御
  • 通常の熱化学触媒では困難な C(sp³)–C カップリングが可能

代表反応:

  • Ni/Ir 触媒系による α-アミノ C–H アリール化（MacMillan 2016）
  • デカルボキシル型クロスカップリング
  • C(sp³)–C(sp²) 直接カップリング

参考: Zuo, Z. et al. Science 2016, 352, 1232.